机译:非晶氢化硅中Si-Si键中心的氢和片状缺陷结构
机译:氢化非晶硅中氢浓度对应变Si-Si键形成以及光学间隙和迁移率间隙的影响的第一原理分析
机译:薄膜非晶态固体的内在键合缺陷:非晶硅(a-Si),氢化非晶硅(a-Si:H),非晶硒(a-Se)和非晶硒-砷合金(a-AsxSe1-x )
机译:非晶氢化硅中以键为中心的氢的动力学和键合:振动和光学信号
机译:氢化非晶硅中光致缺陷的性质和演变
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:氢化非晶硅中氢浓度对应变Si-Si键形成以及光学间隙和迁移率间隙的影响的第一原理分析
机译:氢化非晶硅II电子结构的理论模型:三中心键。